江风益 男，1963年生，江西余干人，中共党员，中科院长春物理所研究生毕业，南昌大学教授、博导、教育部发光材料与器件工程研究中心主任，兼任《半导体学 报》、《发光学报》编委，发光学会副理事长,入选国家百千万人才工程(第一、二层次)，曾获江西省科技进步一等奖，中国优秀青年科技创新奖，被评为全国先 进工作者、全国优秀教师、全国师德先进个人、江西省十大科技明星，被批准为国家有突出贡献的中青年专家，中组部、中宣部、人事部和科技部联合授予“全国杰 出专业技术人才”称号。十余次应邀在国内外学术会议上作特邀报告，在国内外刊物上发表学术论文60余篇。

拥有实验室面积1200M2，仪器设备价值近2000万元,有进口MOCVD系统、自制MOCVD系统、X光双晶衍射仪(进口)、傅立叶红外光谱仪(进口)、发光光谱仪等。

承担过10多项科研课题，研究经费近1000万元，其中863项目3项，国家自然科学基金3项。取得的成果有:研制成功半导体GaN基紫色(近紫 外)发光二极管(LED)、蓝色LED、绿色LED外延材料，并完成了铟镓氮蓝光LED外延材料生产技术成果的转化;研制成功研究型ZnO-MOCVD系 统;研制成功高质量的N型ZnO半导体单晶膜。

当前的研究工作内容:

[1]ZnO基半导体材料生长与器件研制;

[2]Si衬底上GaN基半导体材料生长与器件研制;

[3]宽禁带半导体材料专用生产型MOCVD系统的研制。

可提供对外转让的项目:

[1]半导体GaN基紫色(近紫外)LED外延材料生产技术;

[2]半导体GaN基绿色LED外延材料生产技术;

[3]旋转彩色图文显示屏生产技术;

[4]高质量N型ZnO半导体外延材料(只卖产品，不卖技术)。

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